收藏本站
Si6423DQ
Vishay Siliconix
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 12
R DS(on) ( Ω )
0.0085 at V GS = - 4.5 V
0.0106 at V GS = - 2.5 V
0.014 at V GS = - 1.8 V
I D (A)
- 9.5
- 8.5
- 7.5
? Halogen-free
? TrenchFET ? Power MOSFET
APPLICATIONS
? Load Switch
RoHS
COMPLIANT
S*
TSSOP-8
G
* Source Pins 2, 3, 6 and 7
must be tied common.
D
S
S
G
1
2
3
4
8 D
7 S
6 S
5 D
Top View
Ordering Information: Si6423DQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
- 12
±8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
- 9.5
-8
- 30
- 8.2
- 6.5
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 1.35
- 0.95
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
1.5
1.0
- 55 to 150
1.05
0.67
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
60
100
35
83
120
45
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 72257
S-80682-Rev. B, 31-Mar-08
www.vishay.com
1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI6466ADQ-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
SI6467BDQ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
SI6924AEDQ-T1-GE3 MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP
SI6926ADQ-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP
SI6928DQ-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 30V 4A 8-TSSOP
SI6933DQ-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
SI6955ADQ-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
SI6966DQ-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
相关代理商/技术参数
SI6426 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:20V N-Channel PowerTrench MOSFET
SI6426DQ 功能描述:MOSFET 20V/8V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6426DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 5.4A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6433BDQ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6433BDQ_08 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6433BDQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 4.8A 1.5W 40mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6433BDQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 4.8A 1.5W 40mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6433DQ 功能描述:MOSFET 20V/8V P-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube